创新研究的2维晶体

这些单晶为您提供了制造自有2维材料的好机会

  • 在氧化的硅衬底上提供样品
  • 提供X、Y坐标系
  • 包括显微图像以帮助鉴别薄片
  • 所有薄片的最小面积为10 μ m2,单层厚度

目前提供的2维晶体
二硫化钼,MoS2

二硫化钼是具有1.3eV的间接带隙的过渡金属硫族化合物。其较大的带隙使其很成为电子和光电工程应用的理想材料。

二硒化钼,MoSe2

二硒化钼也是过渡金属硫族化合物。MoSe2是间接半导体,随着层厚度减小到原子限度,具有到直接带隙的热驱动交叉。

六方氮化硼,hBN

六方氮化硼是具有5eV尺寸大带隙的绝缘层状材料。hBN可以用作具有高质量的原子薄电介质,以及用于电浆子器件的平台。

二硫化钨,WS2

二硫化钨是带隙约为1.6eV的间接半导体。在单层状态下,带隙变为尺寸为2.1eV的直接带隙,因此显示出强光致发光。 WS2由于其高电子迁移率而应用于电子产品中。

二硒化钨,WSe2

二硒化钨在红外区域具有带隙,因此,它被用于需要锐化和高质量光学性能的应用场合。

碲化钨,WTe2

二碲化钨由于其相对大的非饱和磁阻而得到广泛地研究,见诸于《Nature》等文献期刊。

黑磷(磷烯)

黑色磷烯是在石墨烯之后被广泛分离和表征的第二种2维材料。由于其达到1000cm2/Vs的高迁移率,它在电子工业中具有潜在的应用前景。

硒化镓,GaSe

硒化镓是带隙大约为2eV的半导体。 GaSe具有强光致发光的直接带隙,可用于光电器件。

Graphenium石墨

石墨烯是在2004年使用graphenium石墨生产的,graphenium是一种特殊的HOPG型石墨,薄片尺寸达到1厘米以上。

硫化砷,As2S3

硫化砷是一种半导体,具有超出预期的性能和尺寸,约2.5eV的预期带隙。

支持和建议

Goodfellow(顾特服)可以通过剥离2维晶体和将2维晶体沉积到氧化的硅衬底上来给予支持。所有样品在氧化的硅衬底上提供,并且具有(x,y)坐标系,以及不同放大倍数的显微图像,以便帮助鉴别薄片。所有薄片具有10 μ m2的最小面积和单层厚度。

如需更多信息,请致电 021-6112 1560或电子邮件 china@goodfellow.com

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